SMD SC (série frittable)

Utilisez la plage de -50 °C à +200 °C comme plage de fonctionnement continue pour la conception lorsque les performances de la classe F 0.6 (2B) sont requises. Les informations produit indiquent également que la température de fonctionnement maximale dépasse +200 °C, sans toutefois définir de limite supérieure précise ni de classe de précision au-delà de +200 °C. Un fonctionnement au-dessus de la plage de classe spécifiée doit donc être considéré comme une condition propre à l’application, et non comme une valeur nominale générale. Le bonding, les matériaux de frittage, l’encapsulation et les cycles thermiques peuvent devenir les facteurs limitants avant l’élément en platine lui-même. Pour les conceptions destinées à dépasser +200 °C, confirmez le profil d’exposition admissible et qualifiez l’assemblage complet avant de définir les seuils de régulation ou de protection.

Fixez la face inférieure par frittage à l’argent et réalisez les connexions électriques sur la face supérieure par bonding ultrasonique à fil épais. La face inférieure utilise une métallisation couche épaisse AgPd et a été évaluée avec la pâte de frittage ASP 338 ou série 043, tandis que la face supérieure utilise une métallisation AgPt avec un fil épais Al H11 de Ø300 µm. Les résultats de cisaillement côté inférieur sont indiqués à plus de 10 N/mm² minimum et plus de 20 N/mm² en moyenne ; le résultat de traction côté supérieur est supérieur à 210 cN. Ces valeurs dépendent des matériaux et des conditions de procédé indiqués ; elles ne doivent donc pas être transposées directement à un autre empilement d’assemblage. Définissez et validez les fenêtres réelles de frittage, de bonding, de nettoyage et d’encapsulation sur le substrat visé.

Utilisez un courant de mesure compris entre 0,1 et 0,3 mA, puis vérifiez l’auto-échauffement dans l’empilement thermique final. À 0 °C, un élément Pt1000 dissipe environ 0,01 mW à 0,1 mA et 0,09 mW à 0,3 mA. Avec un coefficient d’auto-échauffement inférieur à 0,4 K/mW à l’état non assemblé, ces valeurs correspondent respectivement à moins d’environ 0,004 K et 0,036 K dans les conditions d’essai indiquées. La résistance et la puissance augmentent avec la température lorsqu’un courant constant est utilisé, tandis que le chemin thermique une fois monté peut se comporter différemment de celui de l’élément non assemblé. Privilégiez la borne basse de la plage de courant lorsque le budget d’incertitude de mesure est serré, puis confirmez expérimentalement l’erreur finale.

La limite de stabilité à long terme indiquée correspond à une dérive maximale de R₀ de 0,23 % après les essais normalisés définis. Pour un capteur Pt1000, 0,23 % correspondent à 2,3 Ω ; en utilisant 3,85 Ω/K à proximité de 0 °C, cela représente environ 0,6 K si l’on considère uniquement un décalage de résistance équivalent, et non l’erreur totale de mesure. Les essais comprennent 1 000 heures à +200 °C avec au moins 0,1 mA, 1 000 heures à +85 °C et 85 % d’humidité relative, ainsi que 1 000 cycles entre -40 °C et +150 °C. Ces résultats étayent la qualification du composant, mais ne permettent pas de prédire tous les profils de montage ou de mission. Intégrez la dérive des interfaces, l’erreur de l’électronique et tout intervalle d’étalonnage dans le budget d’erreur au niveau système.

L’élément présente une résistance d’isolement supérieure à 1 000 MΩ à 20 °C et une rigidité diélectrique spécifiée de 7,5 kV. La valeur diélectrique repose sur les propriétés théoriques du substrat et sur la géométrie donnée du capteur ; elle ne constitue donc pas une tenue garantie pour l’assemblage final. Le matériau d’enrobage, le ménisque d’enrobage, la contamination, la géométrie des fils de bonding et le procédé peuvent réduire la valeur réellement obtenue. Les distances de fuite, les distances d’isolement dans l’air et la coordination de l’isolement doivent donc être définies au niveau système, et non déduites du seul capteur. Si le composant est placé à proximité d’un semi-conducteur de puissance côté haut, réalisez sur l’empilement final des essais de tenue haute tension, d’humidité et de cyclage thermique.

Choisissez 5164075 pour une fourniture sur cadre wafer et 5195006 pour une fourniture en bobine blister ; les caractéristiques de détection, dimensionnelles et de température sont par ailleurs identiques. Le format blister utilise une bande de 8 mm avec une cavité de 3,55 × 1,95 × 0,8 mm, un pas de 4 mm et un logement d’entraînement de Ø1,5 mm. Il est fourni face visible vers le haut, avec un maximum indiqué d’environ 4 200 pièces par bobine, tandis que des quantités plus faibles, jusqu’à 250 pièces, peuvent être possibles dans certains cas. La fourniture sur cadre wafer est généralement adaptée aux opérations de die attach, tandis que la fourniture en bobine peut convenir au placement automatisé des composants, sous réserve de compatibilité avec l’équipement. Les deux formats nécessitent une revue de procédé pour l’outillage de prise, l’orientation et la force de placement.

Oui, cette conception est destinée à un montage sur des cartes d’électronique de puissance à proximité d’une source de chaleur ou d’une puce semi-conductrice. Son boîtier de 3,1 × 1,5 × 0,55 mm permet un positionnement localisé, tandis que le frittage à l’argent sur la face inférieure crée une interface thermique conductrice courte et que les contacts sur la face supérieure maintiennent la connexion électrique au-dessus du substrat. Aucune valeur numérique de temps de réponse n’est définie ; le comportement dynamique réel doit donc être déterminé avec le substrat choisi, l’épaisseur de frittage, l’encapsulation et les conditions de refroidissement. La modélisation thermique doit être suivie d’un essai de réponse indicielle avec le courant de lecture et le filtrage prévus. Cela permet de vérifier si le capteur suit suffisamment fidèlement la région locale de la puce pour les fonctions de régulation, de déclassement ou de protection.