High Power GaN

Mit exzellenter HF-Performance sind die GaN-Leistungstransistoren von Niterra speziell auf Anwendungen in Verteidigung und Radartechnik ausgerichtet und stehen bei dieser schnell wachsenden Technologie weiterhin an vorderster Front.

Als einer der weltweit ersten Hersteller, der Hochleistungs-GaN in die Massenproduktion überführt hat, sind unsere Erfahrung und unser Know-how ein wesentlicher Erfolgsfaktor für dieses zuverlässige Hochleistungs-Produktportfolio.

Nachfolgend sehen Sie einen Auszug aus dem Produktsortiment. Wenn Sie eine spezifische Anforderung haben, wenden Sie sich bitte an Ihre lokalen Acal BFi Vertriebsexperten.

High Power GaN

Eigenschaften

  • Hohe Leistung
  • Hohe Verstärkung
  • Hermetisch dichte Gehäuse verfügbar
  • Breitbandiger, intern angepasster FET
  • Ausgewählte Module zeichnen sich durch geringe Intermodulationsverzerrung aus
  • Höchste Ausgangsleistung aller intern angepassten C-Band-Komponenten
  • Stetige Innovation, um die Grenzen der Ausgangsleistung zu erweitern
  • Neue erweiterte KU-Verstärker 13,75-14,5GHz
  • Neue X-Band-Komponenten werden dieses Jahr vorgestellt
  • Höchste Verstärkungs- und Wirkungsgrade für Radar- und Satcom-Anwendungen

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für High Power GaN

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Toshiba – Overview GaN Amplifiers
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