High Power GaN

Met uitstekende RF-prestaties zijn Niterra’s GaN Power Transistors gericht op defensie- en radartoepassingen en blijven ze vooroplopen in deze snel opkomende technologie.

Als een van de eerste fabrikanten ter wereld die hoogvermogen-GaN op grote schaal in productie bracht, vormen onze historie en expertise een belangrijke basis voor het succes van deze betrouwbare productreeks met hoge prestaties.

Hieronder ziet u een greep uit het productassortiment. Heeft u een specifieke behoefte, neem dan contact op met uw lokale Acal BFi-verkoopexperts.

High Power GaN

Kenmerken van het assortiment

Een algemeen overzicht van wat dit assortiment te bieden heeft

  • Hoog vermogen
  • Hoge versterking
  • Hermetisch afgesloten behuizingen beschikbaar
  • Breedband intern afgestemde FET
  • Bepaalde modules hebben een lage intermodulatievervorming
  • Hoogste uitgangsvermogen van alle intern afgestemde C-band-apparaten ter wereld
  • Voortdurende innovatie om de grenzen van het uitgangsvermogen te verleggen
  • Nieuwe uitgebreide KU-apparaten 13,75-14,5 GHz
  • Nieuwe X-Band-apparaten dit jaar op de markt gebracht
  • Hoogste versterkings- en efficiëntieclassificaties voor radar- en Satcom-toepassingen

Downloads

voor High Power GaN

pdf
Toshiba – Overview GaN Amplifiers
Downloaden