Hoogvermogen GaN van Toshiba
- Technologie
- Versterkers
De GaN-vermogenstransistors van Toshiba bieden uitstekende RF-prestaties en zijn vooral bedoeld voor defensie- en radartoepassingen. Ze blijven toonaangevend in deze snel opkomende technologie.
Als een van ‘s werelds eerste fabrikanten die GaN met hoog vermogen in massaproductie heeft gebracht, blijven onze geschiedenis en kennis een belangrijk ingrediënt voor het succes van deze betrouwbare reeks hoogwaardige producten.
Hieronder vindt u een greep uit het productassortiment. Neem echter contact op met uw lokale Acal BFI-verkoopexpert als u specifieke wensen heeft.
Kenmerken van het assortiment
Een algemeen overzicht van wat dit assortiment te bieden heeft
- Hoog vermogen
- Hoge versterking
- Hermetisch afgesloten behuizingen beschikbaar
- Breedband intern afgestemde FET
- Bepaalde modules hebben een lage intermodulatievervorming
- Hoogste uitgangsvermogen van alle intern afgestemde C-band-apparaten ter wereld
- Voortdurende innovatie om de grenzen van het uitgangsvermogen te verleggen
- Nieuwe uitgebreide KU-apparaten 13,75-14,5 GHz
- Nieuwe X-Band-apparaten dit jaar op de markt gebracht
- Hoogste versterkings- en efficiëntieclassificaties voor radar- en Satcom-toepassingen
Downloads
voor Hoogvermogen GaN van Toshiba
