Silicon Photodiodes
- Technologie
- Photodétecteurs UV et visibles
- Partner
- OSI Laser Diode Inc.
Les photodiodes en silicium d’OSI-OE sont des capteurs de lumière à semi-conducteur à base de silicium qui génèrent un photocourant lorsque leur zone active est illuminée par la lumière.
Cette gamme comprend des solutions de photodiodes en silicium sur mesure pour une multitude d’applications à haute sensibilité. Ces photodiodes en silicium sont disponibles sous forme d’éléments simples, de quadrants et d’ensembles, et conviennent aux rayons X mous, à la lumière visible et au proche infrarouge.
Caractéristiques de la gamme
Un aperçu général de ce que cette gamme offre
- Silicon and GaAs photodiodes and APD
- Wavelengths: < 100nm to 1100nm
- Photodiode filter assembly to gain production efficiency
- Photodiode amplifier hybrids in one chip
- Back-thinned photodiodes to detect gamma and X-ray radiations for medical applications
- Two colour sandwich detectors for wider ranges of wavelengths (hybrid – Si and InGaAs or GaAs)
- High-speed photodiodes up to 1.25Gbps
- Photodiode arrays customised with APD or PIN and optimised in wavelengths and size
- Nd-YAG optimised photodiodes
Qu’est-ce qu’il y a dans cette gamme ?
Toutes les variantes de la gamme et une comparaison de ce qu’elles offrent
| Model | Wavelength | Detectivity | Surface | Technology |
|---|---|---|---|---|
SiPD series | 350 – 1100nm | 0.65A/W | Custom higher than 100mm² | PIN |
SiBTPD | 150 – 1150nm | 0.65A/W | Up to 100mm² | Back-thinned photodiode |
SiXUV series | 18keV – 6eV | 10000e-/photon | Up to 100mm² | High perf no scintillator needed |
SiAPD series | 400 – 1000nm | 50A/W | 20mm² | Avalanche photodiodes |
