GaN RF haute puissance de Toshiba
- Technologie
- Amplificateurs pour applications RF
Offrant d’excellentes performances RF, les transistors de puissance GaN de Toshiba se concentrent sur les applications de défense et de radar et restent à la pointe de cette technologie en plein essor.
Toshiba est l’un des premiers fabricants au monde à avoir introduit le GaN RF haute puissance dans la production de masse. Notre histoire et nos connaissances restent un élément clé du succès de cette gamme de produits fiables et performants.
Vous trouverez ci-dessous un échantillon de la gamme de produits, mais n’hésitez pas à vous adresser aux experts commerciaux Acal BFI de votre région si vous avez un besoin spécifique à satisfaire.
Caractéristiques de la gamme
Un aperçu général de ce que cette gamme offre
- Niveau de puissance élevé
- Gain élevé
- Possibilité d’emballages hermétiques
- FET à large bande avec adaptation interne
- Certains modules présentent une faible distorsion d’intermodulation
- La puissance de sortie la plus élevée au monde de tous les appareils en bande C à adaptation interne
- Une innovation constante pour repousser les limites de la puissance de sortie.
- Nouveaux produits en bande Ku étendue 13,75-14,5GHz
- Nouveaux transistors en bande X lancés cette année
- Gain et rendement les plus élevés pour les applications radar et de communication par satellite
Téléchargements
pour GaN RF haute puissance de Toshiba
