Transistors forte puissance GaAs

Avec des décennies d’expérience, la vente de solutions FET GaAs de haute puissance dans les applications de défense et de radar, Toshiba peut être considérée comme l’une des premières solutions de puissance RF au monde.

Ces applications exigent une fiabilité et des performances suprêmes, là où la défaillance n’est pas une option. En travaillant avec les plus grands utilisateurs mondiaux sur ces marchés, nos performances, notre support et notre confiance sont les meilleurs depuis une génération.

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Transistors forte puissance GaAs

Caractéristiques de la gamme

Un aperçu général de ce que cette gamme offre

  • Haute puissance
  • High Gain
  • Boîtiers hermétiquement scellés disponibles
  • FET accordé en large bande interne
  • Certains modules présentent une faible distorsion d’intermodulation

Téléchargements

pour Transistors forte puissance GaAs

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Toshiba – C-Band Power GaAs FETs
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