InAs und InAsSb Detektoren
- Technologie
- Infrarot-Photodetektoren
- Partner
- VIGO System
Photovoltaische Detektoren (Photodioden), bei denen die Halbleiterschicht aus InAs oder InAsSb-Materialien besteht. Absorbierte Photonen erzeugen Ladungsträger, die an den Dioden gesammelt werden und eine komplexe Strom-Spannungs-Kennlinie aufweisen. Die Bauelemente können entweder bei flickerfreier Nullvorspannung oder mit Sperrspannung betrieben werden. Diese Detektoren sind frei von Cadmium und Quecksilber. Daher entsprechen die Detektoren der RoHS-Richtlinie und können auf dem Verbrauchermarkt eingesetzt werden.RoHS-Richtlinie und können auf dem Verbrauchermarkt eingesetzt werden.
Eigenschaften
- Optimale Wellenlängen: 3µm oder 5µm
- Gehäuse: TO39, TO8
- Betriebstemperatur: 300K oder 230K
- Kühlung: Ungekühlt oder 2 stufig TE
- Zeitkonstanten: Bis zu < 5ns
- Fenster: Keines oder Al2O3
- Typ: PV
- Detektivität: Bis zu > 5 x 1011
Verfügbare Modellvariationen
Alle verfügbaren Varianten und ein Vergleich ihrer Spezifikationen
| Typ | Peak-Wellenlänge (µm) | Zeitkonstante (ns) | Kühlung | Detektivität D* (cmHz1/2/W) |
|---|---|---|---|---|
PVA-3 | 3 | < 20 | Ungekühlt | Bis zu > 5 x 109 |
PVA-5 | 5 | < 60 | Ungekühlt | Bis zu > 5 x 108 |
PVA-3-2TE | 3 | < 15 | 2TE | Bis zu > 5 x 1010 |
PVA-5-2TE | 5 | < 20 | 2TE | Bis zu > 4 x 109 |
PVIA-3 | 3 | < 20 | Ungekühlt | Bis zu > 5 x 1010 |
PVIA-5 | 5 | < 15 | Ungekühlt | Bis zu > 5 x 109 |
PVIA-3-2TE | 3 | < 15 | 2TE | Bis zu > 5 x 1011 |
PVIA-5-2TE | 5 | < 5 | 2TE | Bis zu > 4 x 1010 |
