GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba

Technologie
Verstärker

Die GaN-Transistoren von Toshiba bieten eine exzellente HF-Leistung. Speziell entwickelt für Verteidigungs- und Radaranwendungen stehen sie an der Spitze dieser neuen und innovativen Technologie.

Als einer der weltweit ersten Hersteller von GaN-Transistoren in der Massenproduktion, sind die historische Entwicklung und das techno­logische Wissenein wichtiger Bestandteil für den Erfolg dieser höchst zuverlässigen Produktlinie.

Nachfolgend sehen Sie einen Auszug aus der Produktpalette.

GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba

Eigenschaften

  • Hohe Leistung
  • Hohe Verstärkung
  • Hermetisch dichte Gehäuse verfügbar
  • Breitbandiger, intern angepasster FET
  • Ausgewählte Module zeichnen sich durch geringe Intermodulationsverzerrung aus
  • Höchste Ausgangsleistung aller intern angepassten C-Band-Komponenten
  • Stetige Innovation, um die Grenzen der Ausgangsleistung zu erweitern
  • Neue erweiterte KU-Verstärker 13,75-14,5GHz
  • Neue X-Band-Komponenten werden dieses Jahr vorgestellt
  • Höchste Verstärkungs- und Wirkungsgrade für Radar- und Satcom-Anwendungen

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für GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba

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Toshiba – Overview GaN Amplifiers
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