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GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba

Sie bringen ein Vielfaches der Ausgangsleistung von GaAs-Komponenten.

Hersteller: Toshiba - RF

Toshiba logo

Technologie-Typ: Verstärker

Die GaN-Transistoren von Toshiba bieten eine exzellente HF-Leistung. Speziell entwickelt für Verteidigungs- und Radaranwendungen stehen sie an der Spitze dieser neuen und innovativen Technologie.

Als einer der weltweit ersten Hersteller von GaN-Transistoren in der Massenproduktion, sind die historische Entwicklung und das technologische Wissen  ein wichtiger Bestandteil für den Erfolg dieser höchst zuverlässigen Produktlinie.

Nachfolgend sehen Sie einen Auszug aus der Produktpalette.

Eigenschaften

  • Hohe Leistung
  • Hohe Verstärkung
  • Hermetisch dichte Gehäuse verfügbar
  • Breitbandiger, intern angepasster FET
  • Ausgewählte Module zeichnen sich durch geringe Intermodulationsverzerrung aus
  • Höchste Ausgangsleistung aller intern angepassten C-Band-Komponenten
  • Stetige Innovation, um die Grenzen der Ausgangsleistung zu erweitern
  • Neue erweiterte KU-Verstärker 13,75-14,5GHz
  • Neue X-Band-Komponenten werden dieses Jahr vorgestellt
  • Höchste Verstärkungs- und Wirkungsgrade für Radar- und Satcom-Anwendungen
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