GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba
- Technologie
- Verstärker
Die GaN-Transistoren von Toshiba bieten eine exzellente HF-Leistung. Speziell entwickelt für Verteidigungs- und Radaranwendungen stehen sie an der Spitze dieser neuen und innovativen Technologie.
Als einer der weltweit ersten Hersteller von GaN-Transistoren in der Massenproduktion, sind die historische Entwicklung und das technologische Wissenein wichtiger Bestandteil für den Erfolg dieser höchst zuverlässigen Produktlinie.
Nachfolgend sehen Sie einen Auszug aus der Produktpalette.
![GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba](https://acalbfi.b-cdn.net/media/jpg/Toshiba_High_Power_GaN_from_Toshiba_TI.jpg)
Eigenschaften
- Hohe Leistung
- Hohe Verstärkung
- Hermetisch dichte Gehäuse verfügbar
- Breitbandiger, intern angepasster FET
- Ausgewählte Module zeichnen sich durch geringe Intermodulationsverzerrung aus
- Höchste Ausgangsleistung aller intern angepassten C-Band-Komponenten
- Stetige Innovation, um die Grenzen der Ausgangsleistung zu erweitern
- Neue erweiterte KU-Verstärker 13,75-14,5GHz
- Neue X-Band-Komponenten werden dieses Jahr vorgestellt
- Höchste Verstärkungs- und Wirkungsgrade für Radar- und Satcom-Anwendungen
Downloads
für GaN-Hochleistungsverstärker von Toshiba