Silicon Photodiodes

De silicium fotodiodes van OSI-OE zijn op silicium gebaseerde halfgeleider-licht­sensoren die fotostroom genereren wanneer het actieve gebied wordt belicht door licht.

Dit assortiment omvat op maat gemaakte silicium fotodiode-oplossingen voor een groot aantal zeer gevoelige toepassingen. Deze silicium fotodiodes zijn verkrijgbaar als afzonderlijke elementen, kwadranten en arrays en zijn geschikt voor zachte röntgenstraling tot zichtbaar en nabij-infrarood.

Silicon Photodiodes

Kenmerken van het assortiment

Een overzicht op hoog niveau van wat dit assortiment te bieden heeft

  • Silicium- en GaAs-fotodiodes en APD
  • Golflengten: < 100 nm tot 1100 nm
  • Fotodiodefilterassemblage voor een efficiëntere productie
  • Fotodiodeversterkerhybriden in één chip
  • Back-thinned fotodiodes voor het detecteren van gamma- en röntgenstraling voor medische toepassingen
  • Tweekleurige sandwichdetectoren voor bredere golflengtebereiken (hybride – Si en InGaAs of GaAs)
  • Hogesnelheidsfotodiodes tot 1,25 Gbps
  • Fotodiodearrays op maat gemaakt met APD of PIN en geoptimaliseerd in golflengten en grootte
  • Nd-YAG geoptimaliseerde fotodiodes

Wat zit er in dit assortiment?

Alle varianten in het assortiment en een vergelijking van wat ze bieden

ModelWavelengthDetectivitySurfaceTechnology

SiPD series

350 – 1100nm

0.65A/W

Custom higher than 100mm²

PIN

SiBTPD

150 – 1150nm

0.65A/W

Up to 100mm²

Back-thinned photodiode

SiXUV series

18keV – 6eV

10000e-/photon

Up to 100mm²

High perf no scintillator needed

SiAPD series

400 – 1000nm

50A/W

20mm²

Avalanche photodiodes