Détecteurs InAs et InAsSb
- Technologie
- Photodétecteurs infrarouges
- Partner
- VIGO System
Détecteurs photovoltaïques (photodiodes) dans lesquels la couche semi-conductrice est constituée de matériaux InAs ou InAsSb. Les photons absorbés produisent des porteurs de charge qui sont collectés au niveau des photodiodes et présentent des caractéristiques de courant et de tension complexes. Ces photodiodes peuvent fonctionner sans scintillement soit non polarisé (sans alimentation externe), soit avec une tension inverse. Les détecteurs InAsSb de VIGO peuvent intégrer jusqu’à 2TEC.Ces détecteurs sont exempts de cadmium et de mercure. Par conséquent, les détecteurs sont conformes à la directive RoHS et peuvent être utilisés sur le marché grand public.
Caractéristiques de la gamme
Un aperçu général de ce que cette gamme offre
- Longueurs d’onde optimales : 3µm ou 5µm
- Boîtiers : TO39, TO8
- Températures de fonctionnement : 300K ou 230K
- Refroidi ou Non refroidi, 2TEC
- Constantes de temps : Jusqu’à < 5ns
- Fenêtres : Aucune, Al2O3
- Type : photovoltaïque
- Détectivité : Jusqu’à > 5 x 1011
Qu’est-ce qu’il y a dans cette gamme ?
Toutes les variantes de la gamme et une comparaison de ce qu’elles offrent
| Type | Pic de longueur d’onde (µm) | Constante de temps (ns) | Refroidissement | Détectivité (cm.Hz1/2.W-1) |
|---|---|---|---|---|
PVA-3 | 3 | < 20 | Uncooled | Up to > 5 x 109 |
PVA-5 | 5 | < 60 | Uncooled | Up to > 5 x 108 |
PVA-3-2TE | 3 | < 15 | 2TE | Up to > 5 x 1010 |
PVA-5-2TE | 5 | < 20 | 2TE | Up to > 4 x 109 |
PVIA-3 | 3 | < 20 | Uncooled | Up to > 5 x 1010 |
PVIA-5 | 5 | < 15 | Uncooled | Up to > 5 x 109 |
PVIA-3-2TE | 3 | < 15 | 2TE | Up to > 5 x 1011 |
PVIA-5-2TE | 5 | < 5 | 2TE | Up to > 4 x 1010 |
