Transistors GaAs de forte puissance

Technologie
Transistors

Avec des décennies d’expérience, la vente de solutions FET GaAs de haute puissance dans les applications de défense et de radar, Toshiba peut être considérée comme l’une des premières solutions de puissance RF au monde. Ces applications exigent une fiabilité et des performances suprêmes lorsque la défaillance n’est pas une option. En travaillant avec les plus grands utilisateurs mondiaux sur ces marchés, nos performances, notre support et notre confiance sont les meilleurs depuis une génération. Contactez les experts RF d’Acal si vous souhaitez en savoir plus sur ce portefeuille.

Transistors GaAs de forte puissance

Caractéristiques de la gamme

Un aperçu général de ce que cette gamme offre

  • Un niveau de puissance élevé
  • Possibilité de boîtiers hermétiques
  • FET à large bande avec adaptation interne
  • Certains modules présentent une faible distorsion d’intermodulation
  • Nouvelles solutions adaptées aux bandes X et Ku
  • Des capacités étendues offrant à la fois des drivers et des étages de sortie
  • Avec un alignement fort sur la plupart des bandes militaires, Satcom et Radar
  • Capable de fonctionner à large bande
  • Gain et rendement élevés

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